本發明公開了一種半導體元件用散熱器件,其于包含含有40~70體積%的金剛石粒子且剩余部分是以鋁為主成分的金屬、厚度為0.4~6mm的板狀體的兩面,被覆由以鋁為主成分的金屬或鋁-陶瓷系復合材料形成的被覆層而形成鋁-金剛石系復合體,在其至少兩主面,從主面側依序形成(1)膜厚0.1~1μm的非晶態的Ni合金層、(2)膜厚1~5μm的Ni層、及(3)膜厚0.05~4μm的Au層而成,此處,Ni合金層和Ni層的比率(Ni合金層厚/Ni層厚)為0.3以下。
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