本發明涉及一種低溫還原制備高首效氧化亞硅的方法及其應用,屬于儲能材料技術領域,包括以下步驟:將氧化亞硅和碳源混合,于600℃?1200℃保護氣氣氛中,保溫處理,得到碳源包覆硅氧基復合材料;將上述碳源包覆硅氧基復合材料、鎂粉和三氯化鋁混合后,150℃?500℃保護氣氣氛中,保溫處理,獲得復合材料的還原產物,經過酸洗、醇洗和水洗,干燥得到高首效氧化亞硅,本發明采用低溫還原方式,一方面可以避免高溫下材料晶體尺寸長大,在實現高首效的同時保證材料的循環穩定性;另一方面低溫處理,可以有效保留包覆后形成的無定形碳層,同時可以有效避免反應過程中碳層擴散至材料空隙內部,無需二次包覆。
聲明:
“低溫還原制備高首效氧化亞硅的方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)