本發明公開了一種制備人工反鐵磁體復合材料的方法,要解決的是現有人工反鐵磁復合材料方法的成本昂貴和制備周期長的問題。本發明具體步驟如下:步驟一,將鑲嵌靶放入真空濺射室的靶位,將基片固定在真空濺射室的基片臺上,向真空濺射室通入工作氣體,形成真空度;步驟二,在基片上濺射緩沖層;步驟三,在緩沖層上濺射生長亞鐵磁層I,基片自然冷卻;步驟四,在亞鐵磁層I上繼續濺射生長亞鐵磁層II,最后在基片上濺射生長保護層,即得到成品。本發明在稀土?過渡合金薄膜中通過直接制備生長的樣品層間界面處的直接交換耦合作用,工藝簡單,成本低廉,制備周期短,重復性好,可應用于磁電及磁傳感器件和超快高密度存儲領域中。
聲明:
“制備人工反鐵磁體復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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