本發明涉及一種CuO@SiO2納米復合材料的制備方法,屬于納米材料技術領域,包括以下步驟:步驟一、巰基功能化的二氧化硅基體的制備;步驟二、CuO@SiO2納米復合材料的制備。本發明的一種CuO@SiO2納米復合材料的制備方法,采用巰基硅烷與正硅酸乙酯作為硅源,可通過水解縮合形成巰基修飾的SiO2微球,巰基與金屬離子具有非常強的配位能力,利用配位基團將Cu2+捕捉并引入到SiO2基體內部和表面,可使金屬納米粒子前驅體達到分子水平的分散效果,最后通過煅燒原位生成高度分散的CuO納米粒子。
聲明:
“CuO@SiO2納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)