本發明的鈣鈦礦單晶材料與微晶硅復合材料結合的薄膜太陽能電池涉及專門適用于將光能轉換為電能的半導體器件。本發明由底部電極、N型氧化物半導體膜、鈣鈦礦單晶光吸收層、微晶硅空穴傳輸層以及頂部電極構成。所述的氧化物半導體薄膜是通過濺射獲得的N型的氧化鋅半導體薄膜,鈣鈦礦單晶光吸收層是鈣鈦礦結構的光吸收材料,空穴傳輸層是通過化學氣相沉積獲得的P型微晶硅復合材料,底部和頂部電極是通過熱蒸鍍獲得的鋁或銀構成的膜,本發明將鈣鈦礦單晶作為光吸收材料,將P型微晶復合材料作為空穴傳輸層,獲得了更穩定,更高效的太陽電池。
聲明:
“鈣鈦礦單晶材料與微晶硅復合材料結合的薄膜太陽電池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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