一種具有復合界面的SiCf/SiC陶瓷基復合材料,其特征在于,由CVD?SiC涂層、PIP?SiC基體、復合界面以及SiC纖維組成,所述的CVD?SiC涂層是化學氣相沉積法制備的碳化硅涂層,厚度為100~500μm;所述的復合界面為BN界面、ZrO2界面、LaPO4界面以及SiC界面的其中任意兩種、三種交替周期疊加,循環周期次數為3~5次,所述的PIP?SiC基體是采用聚碳硅烷原位熱解形成的碳化硅;所述的SiC纖維占復合材料的體積比為40~60%,表面有5~20nm厚熱解碳層制備方法是采用不同制備工藝在碳化硅纖維表面制備多層復合界面,然后采用PIP法填充SiC基體,最后采用CVD法制備表面SiC涂層。本發明制備SiCf/SiC陶瓷基復合材料強韌性高、抗氧化能力強,制備工藝簡單。
聲明:
“具有復合界面的SiCf/SiC陶瓷基復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)