本發明屬于光催化技術領域,涉及一種ReS2超薄納米片負載的Ta3N5空心納米球復合材料及其應用。所述的ReS2超薄納米片的厚度0.1nm?20nm,負載量為0.2?5wt%。所述復合材料由具有空心納米球結構的Ta3N5和ReS2超薄納米片分散液經混合、研磨、蒸發溶劑制得。本發明ReS2超薄納米片負載到空心納米球結構的Ta3N5表面,增大了催化劑表面積,增加了復合材料光催化劑表面的活性位點,可以加快表面化學反應動力學速率,并提光催化劑性能。同時在兩相界面處構建了異質結,加快了載流子的傳輸速度,抑制了電子和空穴的復合情況,有助于提升其光催化性能。
聲明:
“ReS2超薄納米片負載的Ta3N5空心納米球復合材料及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)