本發明屬于發光材料領域,具體涉及一種離子型大位阻銻化物發光材料及其制備方法和應用。其化學式為C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,優選Sb)。本發明的發光材料在250?450nm有很寬的激發帶,最佳激發峰位于365nm處,可以很好的與商用紫外芯片相匹配,發射出發射峰位于619nm的明亮橙黃色發光。該材料制備方法簡單易行、對環境友好,克服了傳統鉛基鈣鈦礦材料的毒性和不穩定性;而且此離子型大位阻銻化物發光材料的成本低,反應條件溫和,生產周期短,熒光量子產率高,在白光照明和高能射線探測及成像領域具有非常好的發展前景。
聲明:
“離子型大位阻銻化物發光材料的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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