本發明涉及一種C/C?Si復合材料表面生長輻射狀納米線及在常溫下的制備方法,利用包埋法在真空加熱爐中在碳/碳復合材料表面制備硅涂層,然后對C/C?Si復合材料采用濃硫酸與雙氧水混合溶液浸潤后,將C/C?Si復合材料表面放入單分散聚苯乙烯微球溶液中,經干燥后在噴金濺射儀中噴金。隨后將C/C?Si復合材料放入由去離子水,丙三醇,雙氧水和氫氟酸按不同體積分數組成的混合溶液中刻蝕不同的時間。獲得常溫下在C/C?Si復合材料表面輻射狀生長的Si納米線。本發明的納米線是從C/C?Si復合材料表面生長出來的輻射狀納米線,可以提高內涂層與外涂層之間的結合力,緩解熱膨脹失配??梢詼p少碳/碳復合材料多次高溫處理造成的力學性能下降,能夠有效保護碳/碳復合材料。
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“C/C-Si復合材料表面生長輻射狀納米線及在常溫下的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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