本發明提供了一種封裝殼體復合材料及其制備方法和應用,涉及半導體技術領域。所述封裝殼體復合材料主要由鋁粉、碳纖維和稀土元素經真空熱壓制備得到,上述復合材料不含有硅,主要由碳纖維和鋁粉制得,由于碳纖維導熱系數可以達到28,遠遠大于硅的導熱系數0.21,因此,復合材料的導熱性能和強度均有較大的提升;同時上述復合材料中還包括稀土元素,進而使其具有了抗輻射、吸收中子、帶電粒子的技術效果。由原料的選擇所決定,本申請由上述鋁粉、碳纖維和稀土元素經真空熱壓制備得到的封裝殼體復合材料具有高強度、低膨脹的優勢,同時還具有滿足航空航天的輕量化、小型化、抗輻射、屏蔽帶電粒子、中子的功能。
聲明:
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