本發明提供一種基于石墨烯復合材料/氮化硅/硅芯片多層結構的散熱系統及構建方法,屬于微電子器件的散熱技術。該散熱架構包括硅基發熱器件,Si3N4絕緣層,石墨烯復合材料熱沉和基板。其中通過化學氣相沉積法在硅片背面沉積一層致密的Si3N4絕緣層,通過化學鍵將石墨烯復合材料與Si3N4絕緣層互連,最后將上述帶有散熱架構的硅片與基板相連并封裝成器件。本發明利用了化學鍵將硅基發熱器件,熱界面材料,熱沉互連,極大減少各器件層間距,避免層間微空隙所引起的熱阻,促進聲子傳熱,進而提高了整體散熱系統的散熱能力,使得芯片能夠在惡劣的高溫環境下工作。且封裝后,整體系統更輕更薄,符合當代半導體器件的發展趨勢。
聲明:
“石墨烯復合材料/氮化硅/硅芯片高效散熱系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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