本發明屬于材料技術領域,尤其涉及一種硅碳復合材料及其制備方法,一種負極片,一種二次電池。其中,硅碳復合材料包括:中空球狀多孔結構的硅石墨烯復合骨架和至少包覆在所述硅石墨烯復合骨架內外表面的石墨烯層。本發明硅碳復合材料中,中空球狀多孔結構的硅石墨烯復合骨架為硅的體積膨脹預留了空間,減小了硅碳復合材料整體的體積膨脹,當硅碳復合材料應用到極片中時,可有效降低充放電過程中硅體積膨脹引起的極片掉粉和對SEI膜的破壞。另外,至少包覆在內外表面的石墨烯層可進一步抑制硅的體積膨脹,且石墨烯包覆層具有更好的導電性,可更好提高硅碳復合材料的導電性,當其應用到負極材料中時,可減少甚至省去導電劑的用量。
聲明:
“硅碳復合材料及其制備方法、負極片、二次電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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