本發明涉及一種含有氧化鋁涂層的C/SiC復合材料坩堝,屬于單晶硅拉制爐用熱場部件技術領域。本發明所述復合材料坩堝包括C/SiC復合材料坩堝本體以及涂覆在坩堝本體內表面的氧化鋁涂層,且C/SiC復合材料坩堝本體中的陶瓷基體為非晶型SiC以及氧化鋁涂層以γ?Al2O3為主;以γ?Al2O3為主的涂層與非晶型SiC陶瓷基體具有良好的適配性,結合強度高,在滿足坩堝力學性能要求的基礎上,一方面大大降低了Si蒸汽對坩堝的侵蝕,而且避免了對復合材料坩堝的機械損傷,提高了坩堝的使用壽命,一方面在單晶硅拉制過程中不會引入雜質成分,保證了拉制單晶硅過程中熔融硅的純度,與同時使用石英坩堝和炭/炭復合材料坩堝相比,采用本發明所述復合材料坩堝拉制單晶硅的成本顯著降低。
聲明:
“含有氧化鋁涂層的C/SiC復合材料坩堝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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