本發明公開一種具有間隔層的稀土?過渡合金復合材料的制備方法,將稀土貼片與鐵鈷合金靶相貼合形成復合鑲嵌靶,先采用磁控濺射復合鑲嵌靶或者三元合金靶,在基片上生長20~50nm厚的第一層稀土?過渡合金薄膜(磁性薄膜層I),然后濺射0.5~2.5nm厚的金屬間隔層或氧化物間隔層(間隔層),最后繼續濺射復合鑲嵌靶或者三元合金靶,在間隔層上生長7~15nm厚的第二層稀土?過渡合金薄膜(磁性薄膜層II),得到的是一種具有間隔層的同一種亞鐵磁稀土?過渡合金(TbFeCo或者DyFeCo)構成的復合材料。該制備方法制備得到的復合材料性能穩定,該復合材料的結構與垂直磁電器件完全兼容,可以作為一種新型的磁電子學器件材料用于垂直自旋閥或磁隧道結器件中。
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