本發明涉及納米插層復合材料領域,公開了一種全新的聚合物/層狀硅酸鹽納米插層復合材料的制備方法。該方法采用單體、層狀硅酸鹽在引發劑下合成,合成過程在超臨界二氧化碳中進行,反應溫度31.2~200℃,反應壓力7.5~150MPa。本發明提供的方法簡單易行、體系散熱較好,反應平穩,不易發生爆聚,安全實用,該方法也不需要溶劑回收設備,最終產物易分離純化,不需要洗滌干燥設備以及大量的熱能消耗,制得復合材料中層狀硅酸鹽可達到納米級分散。
聲明:
“聚合物/層狀硅酸鹽納米插層復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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