本發明涉及復合材料技術領域,具體公開了具有高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料及其制備方法,稱取氧化鋁、氫氧化鋁、磷酸二氫鋁和氧化鈣,與無水乙醇一起進行球磨,混合均勻后干燥后過篩;通過過篩的粉末將SiC基體包埋在氧化鋁瓷舟中,并進行高溫煅燒,使SiC基體表面形成過渡層;采用大氣等離子噴涂的方法將YSZ和RETaO4粉末噴涂到過渡層表面,形成表面噴涂有陶瓷涂層的SiC復合材料。本專利制備的碳化硅基復合材料的熱導率為0.67~0.82W·m?1·K?1之間,滿足超高溫2200~2500℃以上的使用環境。
聲明:
“具有高溫陶瓷涂層YSZ-RETaO4的SiC基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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