本發明屬于微電子器件和功能無機薄膜技術領域,具體涉及一種可擦寫、可讀出的無機薄膜電雙穩器件及其制作方法。器件結構為:金屬-無機介質層-金屬(M1-Inorganic-M2)結構,二端的金屬層做電極。其中的無機介質層由真空熱蒸發沉積的硫氰酸鉀薄膜與部分銅底電極反應獲得的薄膜(簡稱:CN)。這種夾層結構的薄膜器件具有非常好的可逆電雙穩特性,高電阻態和低電阻態的阻值比可以大于105;“寫-讀-擦-讀”次數可達到數百次以上。本發明的電雙穩器件,其結構和制作工藝簡單,在信息存貯、信息處理以及邏輯運算領域有廣泛的應用價值。
聲明:
“可擦寫、可讀出的無機薄膜電雙穩器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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