本發明涉及一種三維的微結構,其具有:大量的彼此鄰近的、相對于其相應的微柱縱向伸展部基本彼此平行地且彼此間隔地被安置的微柱,所述微柱具有至少一種微柱材料,所述微柱各自具有一在20至1000范圍內的縱橫比,并各自具有一在0.1微米直至200微米范圍內的微柱直徑;以及在毗鄰的微柱之間配設的微柱空隙,所述微柱空隙具有在所述毗鄰的微柱之間從1微米至100微米范圍中選出的微柱間距。本發明也提出一種用于建造所述的三維微結構的方法,其具有如下方法步驟:a)用模板材料制備一模板,其中,所述模板具有一基本與所述微結構相反的三維模板結構,所述三維模板結構具有柱狀模板空腔,b)將所述微柱材料安置在所述柱狀模板空腔中,從而形成所述微柱,和c)至少部分地移去所述模板材料。有利地,將硅晶片用作模板。為了制備所述模板,以PAECE(PhotoAssistedElectro-ChemicalEtching光輔助電化學蝕刻)-方法為基礎。借助于本發明,具有極大表面的微結構得以實現。
聲明:
“三維微結構、具有至少兩個三維微結構的裝置、用于制造所述微結構的方法和所述微結構的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)