本發明提供一種具有NbN SNS約瑟夫森結的超導集成電路及其制備方法,該超導集成電路包括襯底、功能層、第一隔離層、第一配線部、第二配線部、第二隔離層、第一接地材料層及第二接地材料層,其中,襯底包括基底層及緩沖層,功能層位于緩沖層上表面且包括層疊的底電極、結勢壘層及頂電極,第一隔離層覆蓋緩沖層上表面及功能層顯露表面且設有被第一配線部與第二配線部填充的第一接觸孔與第二接觸孔,第二隔離層覆蓋第一隔離層上表面及第一配線部與第二配線部顯露表面且設有第一通孔與第二通孔,第一與第二接地材料層分別填充第一通孔及第二通孔。本發明采用較厚的結勢壘層,提升了勢壘層覆蓋率,無需外接并聯電阻,提升了電路集成度。
聲明:
“具有NbN SNS約瑟夫森結的超導集成電路及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)