本發明揭示了一種含鉭薄膜的刻蝕工藝,所述刻蝕工藝包括:步驟S1、在含鉭薄膜上沉積一層或者多層的隔離材料;步驟S2、采用光刻工藝,刻蝕隔離材料及含鉭薄膜。所述步驟S2具體包括:步驟S21、沉積光刻膠后進行曝光、顯影工藝;步驟S22、采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料;步驟S23、采用與步驟S22中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數刻蝕含鉭薄膜,而后去除光刻膠;或者,在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠,隨后以隔離材料作為硬掩膜,再次刻蝕去除含鉭薄膜。本發明提出的含鉭薄膜的刻蝕工藝,可以保證刻蝕后此薄膜表面潔凈,保障后續工藝的順利和性能(如接觸)的可靠。同時,本發明工藝穩定可靠且成本低。
聲明:
“含鉭薄膜的刻蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)