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非閃爍量子點及其制備方法

899   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:08:02
本發明涉及半導體功能材料技術領域,特別涉及一種非閃爍量子點及其制備方法。本發明將殼層生長溫度控制在比核體生長溫度高5~80℃,使殼層源各組分在高溫條件下反應,促進殼層源各離子的相互滲透,消除殼層晶體內部的缺陷,進而得到晶相穩定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空氣中的氧氣氧化;同時,本發明還通過殼層源添加方式的設置,避免殼層源的各組分單獨成核,進而得到以富集ZnSe材料為殼層的核殼結構量子點。利用上述方案得到的量子點的亮態比為90~100%,屬于典型的非閃爍量子點。
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