本發明屬于半導體發光器件及其制備方法技術領域,涉及一種氧化鋅材料發光二極管的制備方法。其特征是在不同的襯底材料表面上,采用超聲霧化熱分解方法,依次生長p-型和n-型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p-n結材料。通過控制先驅體溶液濃度及配比、襯底溫度、成膜氣氛及霧化氣量可實現對制得ZnO基p-n結材料電學性能的控制,以滿足制備氧化鋅基發光二極管(LEDs),激光二極管(LDs)等光電子器件方面的需要。通過標準半導體工藝制備上下歐姆接觸電極,即可獲得氧化鋅材料發光二極管。本發明的效果和益處在于提供一種工藝簡單易行的制備氧化鋅發光二極管(LEDs)的方法。氧化鋅材料p-n結室溫電注入發光的實現必將進一步促進ZnO光電信息功能材料和器件的應用。
聲明:
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