本發明屬于微電子器件及存儲器技術領域,公開了一種相變存儲器陣列的制備方法,具體包括:在襯底上沉積多層薄膜結構,其中包括底電極層、加熱電極層、選通材料層、連接阻擋層、相變功能層。薄膜制備完成之后僅利用一次光刻工藝對底電極以上部分整體實現圖案化,然后進行刻蝕、填充單元間電熱隔離絕緣層,并通過額外一次光刻工藝制備分立的頂電極,得到底電極?功能材料?頂電極結構完整、可操作的相變存儲器陣列。工藝流程中光刻工藝次數的減少,不僅可以降低生產過程中的成本,提高生產效率和成品率,同時二維平面單層器件的制備工藝的簡化,可以極大改善三維存儲器件的制備流程,從而實現將二維平面單層存儲器在垂直方向上進行多層堆疊的三維存儲器技術。
聲明:
“相變存儲器陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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