本發明屬于光電功能材料技術領域,尤其涉及一種相變可控的全無機鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應用。所述方法包括:(1)將先驅物溴化鉛和溴化銫分別置于氣相沉積裝置內,將襯底置于沉積區,并對整個裝置抽真空;(2)向氣相沉積裝置內通入惰性氣體;(3)設定沉積溫度和沉積時間,沉積溫度選自500?800℃,不同沉積溫度下,鈣鈦礦薄膜的成分和晶型不同。本發明采用化學氣相沉積方法,工藝條件簡單,易于精確控制,適合產業化生產,同時薄膜均勻性好,與襯底材料附著性,覆蓋性好,制備的光電薄膜,具有廣闊的應用前景。本發明通過改變沉積溫度,實現鈣鈦礦相從CsPb2Br5到CsPbBr3可控生長?;诒景l明得到的鈣鈦礦薄膜制備的光電探測器,表現出良好的光電響應和開關特性。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)