本發明涉及電子學領域,特別是涉及一系列新型p-n結。本發明將n型或p型的鈣鈦礦結構氧化物(選擇摻雜的鈦酸鋇或鈦酸鍶或錳酸鑭)與n型或p型的半導體材料(選擇摻雜的硅或鍺或砷化鎵)進行疊層生長,制備成半導體和鈣鈦礦結構氧化物的p-n結、p-p結、n-n結、p-n-p結、n-p-n結等多種結構。本發明的制作工藝簡單,穩定性好,可廣泛應用于電子器件及探測器。
聲明:
“半導體和鈣鈦礦結構氧化物p-n結” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)