本發明公開了一種燒結取向磁體內部缺陷的修復方法,采用緩慢升溫和分段保溫制度對燒結取向磁體的內部缺陷進行修復,修復過程中,磁體與目標滲透源之間始終保持宏觀相對運動,所述目標滲透源由滲透助劑35?99.9wt%和0.1?65wt%可滲透入磁體2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素單質和/或化合物的滲透劑組成;所述方法實現了工業化生產中穩定地修復取向磁體的內部缺陷,改進了主相晶粒界面,調整了晶界相成分及結構,促進了晶界相的再分布,提高了取向燒結磁體的磁性能、熱穩定性。本發明還公開了采用所述方法修復得到的磁體。
聲明:
“燒結取向磁體內部缺陷的修復方法及修復后的磁體” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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