本發明提供了一種稀磁半導體的制備方法,制備方法包括如下步驟:制備復合氧化銦靶材;提供氧化鋁基片,并對氧化鋁基片進行清洗和拋光,得到第一氧化鋁基片;將第一氧化鋁基片放入真空室進行預濺射,得到第二氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第二氧化鋁基片上沉積氧化銅薄膜,得到第一復合氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第一復合氧化鋁基片上沉積氧化亞銅薄膜,得到第二復合氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第二復合氧化鋁基片上沉積鐵鈷釓摻雜的氧化銦薄膜。本發明通過氧化銦薄膜中摻雜鐵、鈷、釓原子,大幅度提高了稀磁半導體的磁性能,使得復合薄膜能夠有效的用于存儲器件。
聲明:
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