本發明屬于半導體光電探測技術領域,具體涉及一種基于Cs2AgBiBr6薄膜的光電導型探測器及制備方法。其結構由Si襯底、絕緣的SiO2層、Au叉指電極和Cs2AgBiBr6薄膜構成。其特征在于,采用簡單的制備方法實現了非鉛Cs2AgBiBr6薄膜的制備,克服了傳統鈣鈦礦結構在不穩定性和鉛毒性上的缺點,對鈣鈦礦光探測器簡化工藝、環境友好、進而走向實用化具有非常重要的意義。
聲明:
“基于Cs2AgBiBr6薄膜的光電導型探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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