50A大電流快恢復二極管的制作方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種50A大電流快恢復二極管的制作方法，包括：提供N型半導體硅材料作為半導體襯底；在N型半導體襯底上摻雜N+型雜質(zhì)；去除半導體襯底一面的N+型雜質(zhì)層；在暴露出的N-型半導體材料上再雙雜質(zhì)摻雜P+型雜質(zhì)；再采用高溫擴散的方法進(jìn)行重金屬鉑摻雜；進(jìn)行第一次掩膜光刻；在鈍化槽中刮涂玻璃粉，高溫燒結成型，完成PN結玻璃鈍化；采用真空濺射法，在硅片兩面制作多層金屬化層；進(jìn)行第二次掩膜光刻；將硅片分割成獨立的管芯；將芯片與引線(xiàn)組件冶金鍵合在一起；采用燒結的方法將芯片、引線(xiàn)組件與管座冶金鍵合在一起；采用儲能焊，將管帽與底座封焊成型。本發(fā)明受環(huán)境影響小，工藝成熟、穩定、重復性好，可廣泛用于大電流恢復二極管的大批量生產(chǎn)。