本實用新型涉及一種同位素地質學專用TOF?SIMS高壓脈沖發生器,是由直流電源經負載與高壓衰減探頭示波器連接,負載串接三個SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分別與TVS動態均壓電路、R1~R2靜態均壓電路、動態反饋均壓電阻和動態功耗米勒電容CgⅠ連接,SICMOSFETⅡ分別與TVS動態均壓電路、R4~R5靜態均壓電路、動態反饋均壓電阻和動態功耗米勒電容CgⅡ連接,SICMOSFETⅢ分別與TVS動態均壓電路、R7~R8靜態均壓電路、動態反饋均壓電阻和動態功耗米勒電容CgⅢ連接構成。本實用新型與現有的分高壓脈沖發生器相比,具有無噪聲,無電磁干擾,結構簡單,體積小,重量輕,安裝方便,成本低廉??稍陔妶鰵⒕夹g、水處理技術和高壓絕緣技術等領域廣泛應用。
聲明:
“同位素地質學專用TOF?SIMS高壓脈沖發生器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)