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溶液法生長鈣鈦礦納米線

338   編輯：中冶有色網   來源：劉凱依*, 黃富城*, 蘇檢德, 黃國現, 蒙 雪, 鄧天霞, 何聰穎, 李燕玲, 宋樹祥, 劉林生#  
2024-05-06 14:19:24
溶液法生長鈣鈦礦納米線 轉載于漢斯學術交流平臺，如有侵權，請聯系我們 溶液法生長鈣鈦礦納米線 內容總結： 在過去發展的這些年里，隨著人們對新型技術、新型材料、新型能源的需求不斷地增加，鹵化物鈣鈦礦的低維納米材料，包括有機–無機雜化和全無機鈣鈦礦 u200e[1] ，因其擁有波長可調和載流子擴散長度較長等優點，引起了光電領域中許多科學家研究的興趣 u200e[2] ?；騂C(NH2)2+；B是無機陽離子，例如：Pb2+、Sn2+；X是陰離子，例如：Br?、I?、Cl?或任意兩個(Br?/I?、Cl?/I?和Cl?/Br?)。 內容： 1. 引言 在過去發展的這些年里，隨著人們對新型技術、新型材料、新型能源的需求不斷地增加，鹵化物鈣鈦礦的低維納米材料，包括有機–無機雜化和全無機鈣鈦礦 u200e[1] ，因其擁有波長可調和載流子擴散長度較長等優點，引起了光電領域中許多科學家研究的興趣 u200e[2] 在鹵化物鈣鈦礦的大范圍中，常見的鹵化鉛基鈣鈦礦的晶體結構 u200e[3] 的材料式子為：ABX3 (其中A是陽離子，例如：Cs+、CH3NH3+或HC(NH2)2+；B是無機陽離子，例如：Pb2+、Sn2+；X是陰離子，例如：Br?、I?、Cl?或任意兩個(Br?/I?、Cl?/I?和Cl?/Br?) 然而鈣鈦礦納米材料現在還面臨許多限制以及需要優化改進的地方 u200e[4] ，比如大規模生產化、商業化、產業化等 現在學者們普遍認為，MAPbI3納米線光電探測器較差的穩定性是阻礙其實現產業化應用的最大障礙 u200e[5] 研究人員對此進行了大量的實驗進行探究和改進，通過改變和創新制備納米材料的準備和工藝流程，調整內部的結構和外部表面的性質等各個方法 u200e[6] ，在一定程度上實現了穩定性能的提升 經過大量的實驗，離子液體1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽(BMIMBF4) u200e[7] 作為鈍化劑加入到甲基銨鉛三碘化物(MAPbI3)納米線中，通過鈍化納米線中的缺陷，在表面形成鈍化層，使其光電性能得到了很大的提升 如今有許多形式不同的一維鹵化物鈣鈦礦的制備方法，包括化學氣象沉淀法 u200e[8] 、模板限制生長法 u200e[9] 、溶液法 u200e[10] 等方法 前兩種方法雖然制備出的納米線形狀和質量較好，但是有制備的成
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鈣鈦礦 低維納米材料
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