本發明公開了一種低介電損耗介質陶瓷及其制備方法,所述介質陶瓷的化學組成符合通式為:Li2(Zn1?xAx)Ti3+yO8+2y,其中,A為Mg或Co,x的取值范圍為0.02≤x≤0.08,y的取值范圍為0.13≤y≤0.21。本發明以Li系硅酸鹽作為介質陶瓷的主要原料,以Li2ZnTi3O8為基礎的晶體結構進行制備,具有理想的介電常數εr和品質因數Q×f,同時其燒結溫度較常規溫度降低了120?160℃,保證了陶瓷材料的燒結溫度能低于Cu、Ag等的熔點,便于進一步加工,最終得到具有極低介電損耗的介質陶瓷,滿足實際使用的需求。
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