本發明公開了一種鈦酸鍶鋇薄膜及其制備方法和應用。所述薄膜是由鑭對鈦酸鍶鋇A位及錳對鈦酸鍶鋇B位共摻雜得到。該薄膜的制備是先制備La、Mn共摻雜的BST陶瓷濺射靶材;然后利用得到的La、Mn共摻雜的BST陶瓷濺射靶材在硅襯底基片上制備鎳酸鑭底電極;再利用得到的鎳酸鑭底電極、采用射頻磁控濺射法沉積所述的鈦酸鍶鋇薄膜。本發明實現了采用磁控濺射法制備鑭和錳共摻雜的鈦酸鍶鋇薄膜;且制得的BST薄膜呈鈣鈦礦結構,單一相,無雜相,且具有(100)擇優取向;尤其是,具有高介電可調性、低介電損耗以及適中介電常數,有望應用于制作介電調諧器件。
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