本發明公開了一種具有高磁熵變的磁制冷材料化合物及其制備方法。本發明的磁制冷材料化合物的化學組成式為(La0.7Ca0.2Tm0.1)Mn1-xMxO3,所述化合物以錳鈣鈦礦LaMnO3結構體系為基質,Ca和Tm為基質組元離子,M為點缺陷控制的輔助摻雜離子,其中0<x≤0.1,并且所述化合物在5T磁場下的最大磁熵變大于等于5.0J/kg.K。本發明采用不同價態離子摻雜和氣氛處理來調控點缺陷,通過控制晶體結構中電子輸運和離子間自旋電子耦合效應來提高其磁滯冷性能,獲得了高居里轉變點和良好材料使用性能,使化合物的磁商變值提高約一個數量級,并且具有材料穩定性高、無毒副作用、操作工藝簡單、成本低等特點。
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