本發明公開了屬于稀磁半導體材料制備技術領域的一種黃銅礦結構的稀磁半導體材料及其制備方法。該稀磁半導體材料的化學式為CuS1-xTxTe2;其中,S為Ga或In,T為Co、Mn、或Fe,x=0-0.4。根據CuS1-xTxTe2的化學計量比配置Cu、S、T、Te四種單質元素;將Cu、S、T熔煉成Cu-S-T前驅合金后與Te混合研磨成粉并壓制成片,對其熱處理后冷卻,然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品,經抽濾后得到該稀磁半導體材料。制成稀磁半導體材料更好地控制了非揮發性元素與揮發性元素之間的化學比例,并通過控制熱處理時的溫度,獲得了雜相較少、成分均勻且具有室溫鐵磁性的黃銅礦結構的稀磁半導體材料。
聲明:
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