本發明公開了一種溝槽柵MOS器件缺陷驗證方法,包含:第一步,對溝槽柵MOS器件樣品進行電學測試,掃描柵極對源極的漏電曲線;第二步,根據漏電曲線的特性,初步判定缺陷的大致位置;第三步,采用亮點定位工具,定位失效溝槽在芯片上的位置;第四步,結合第二步的判定結果,選擇對應的研磨或聚焦離子束方法進行制樣;采用KOH或NaOH溶液溶解殘留的柵極多晶硅,找到缺陷位置。
聲明:
“溝槽柵MOS器件缺陷驗證方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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