本發明公開了一種垂直腔面發射激光器芯片篩選方法。該方法包括對垂直腔面發射激光器芯片進行老化篩選的步驟;在所述老化篩選之前,先對垂直腔面發射激光器芯片進行預篩選,具體方法如下:用直流電流脈沖對垂直腔面發射激光器芯片進行循環沖擊,并在沖擊完成后通過性能測試將失效芯片剔除;所述直流電流脈沖的電流大小為Ith+S,脈沖寬度為50ms~200ms,Ith為所述垂直腔面發射激光器芯片的閾值電流,S的取值范圍為20mA~40 mA。本發明還公開了一種垂直腔面發射激光器芯片篩選裝置。本發明可有效剔除現有技術難以完全剔除的存在芯片量子阱區域內的黑色線缺陷和氧化層裂紋缺陷的不良芯片,從而大幅降低老化篩選的漏篩率并提高老化篩選的效率。
聲明:
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