本發明公開了一種單片硅基微壓傳感器及其制作方法,通過在硅基片之中的腐蝕坑之中,制作背島結構,而在背島結構之中,包括有用于穩定測量的背島,相對于常見的厚度為400微米左右的微壓傳感器,本發明的背島的體積很小,而且背島底面與硅基片的邊框平面距離遠遠大于5-10微米,所以,本發明的單片硅基微壓傳感器之中的背島不會受到硅基片的厚度限制,從而能夠提高產出率、降低成本;與傳統的E型結構相比,更能夠克服大背島的自重效應,從而提高穩定性;此外,還能夠避免出現背島與玻璃鍵合而導致器件失效的問題;另外,還能夠形成厚度一致性好、靈敏度一致性好的彈性硅膜,從而適宜于大規模生產。
聲明:
“單片硅基微壓傳感器及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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