本發明提供了一種刻蝕控制方法,設置了套刻精度和高級工藝流程控制的相關參數之間的對應關系后,該方法首先測量光刻后晶片的當前層上光刻圖案的套刻精度,將所得的套刻精度發送到刻蝕機臺,由刻蝕機臺根據套刻精度得到刻蝕步驟中高級工藝流程控制的相關參數,以光刻圖案為掩膜,按照調整后的相關參數刻蝕當前層,改變刻蝕形成的半導體器件結構的形狀,改善因OVL造成的半導體器件失效,擴大工藝窗口和提高產品良率。
聲明:
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