存儲器芯片擾碼驗證方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲器芯片擾碼驗證方法，包含如下步驟：第一步，選取封裝好的樣品芯片，根據芯片厚度大小將樣品芯片從背面開(kāi)始研磨；第二步，采用化學(xué)腐蝕的方式繼續腐蝕樣品芯片背面；第三步，對存儲區域進(jìn)行物理?yè)p傷并記錄物理?yè)p傷的物理地址；第四步，對樣品芯片背面加保護蓋，轉移至手動(dòng)測試機臺進(jìn)行手動(dòng)測試；第五步，選取2～20顆樣品芯片，重復以上步驟，每顆樣品芯片測試存儲區域的不同位置，找出失效的電學(xué)地址，并結合第三步的物理地址計算出物理地址與電學(xué)地址之間的對應關(guān)系。