本發明公開了一種存儲器芯片擾碼驗證方法,包含如下步驟:第一步,選取封裝好的樣品芯片,根據芯片厚度大小將樣品芯片從背面開始研磨;第二步,采用化學腐蝕的方式繼續腐蝕樣品芯片背面;第三步,對存儲區域進行物理損傷并記錄物理損傷的物理地址;第四步,對樣品芯片背面加保護蓋,轉移至手動測試機臺進行手動測試;第五步,選取2~20顆樣品芯片,重復以上步驟,每顆樣品芯片測試存儲區域的不同位置,找出失效的電學地址,并結合第三步的物理地址計算出物理地址與電學地址之間的對應關系。
聲明:
“存儲器芯片擾碼驗證方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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