本發明提供了一種多芯片模塊,包含主裸芯片及串行閃存裸芯片。主裸芯片包含內建自測試控制器及串行閃存控制器。內建自測試控制器產生寫命令以將第一數據寫入串行閃存裸芯片的存儲器位置,產生讀命令以從串行閃存裸芯片的存儲器位置讀出第二數據,以及比較第二數據與第一數據,以判斷存儲器位置是否有缺陷,以產生所述串行閃存裸芯片的失效地址信息。串行閃存控制器耦接至內建自測試控制器,根據寫命令及讀命令訪問串行閃存裸芯片。本發明提供的多芯片模塊,可通過判斷多芯片模塊的故障源,來促進多芯片模塊的制造及質量控制。
聲明:
“多芯片模塊” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)