本發明提供了一種透射電鏡樣品的制備方法,首先在芯片的正面粘貼一金屬環;然后剝離所述芯片的背面至所需觀測的結構層;最后切除所述金屬環外圍的芯片,保留了所述金屬環連同所述金屬環內的芯片,形成最終的透射電鏡樣品。此時整個金屬環的內部均為薄區,進一步的,所述樣品的面積已達mm2級別,實現了大面積透射電鏡觀測的效果,透射電鏡能夠對該樣品進行大面積觀測以尋找失效結構。
聲明:
“透射電鏡樣品的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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