本發明的目的是提供一種基于恒拉速控制結構的硅單晶直徑控制方法,首先依據常規硅單晶控制結構中熱場溫度和晶體直徑數據,辨識熱場溫度?晶體直徑過程的非線性大滯后預測模型,其中預測模型中的時滯參數,輸入輸出階次及模型參數分別通過輸出相關性時滯確定算法、利普希茨商及訓練棧式稀疏自動編碼器獲得,然后將棧式稀疏自動編碼器作為預測模型引入到非線性廣義預測控制算法中,通過預測控制算法中的預測模型,反饋校正,滾動優化等策略實現晶體直徑控制,解決了現有硅單晶直徑控制過程因晶體提拉速度的劇烈波動而出現的控制效果變差,甚至導致控制失效的問題。
聲明:
“基于恒拉速控制結構的硅單晶直徑控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)