本發明公開了用于功率瞬態抑制二極管使用納米銀漿焊接的方法,涉及半導體封裝領域。本發明使用無鉛納米銀顆粒制備的納米銀漿連接功率瞬態抑制二極管芯片和導電銅框架;納米銀漿是由納米銀顆粒構成的重量百分比65?80%的納米銀漿料以及20?35%的添加劑混合構成的粘合載體;方法包括:清洗銅框架、納米銀漿網印、低溫燒結、孔洞檢驗。本發明納米銀漿解決了傳統焊接的二次流動性問題,充分利用納米銀的燒結完成后形成燒結銀的高溫特性,減少焊接二次流動產生錫絲、錫尖等問題;減少因為高溫導致的芯片劃片道的隱裂問題,溫度低減少材料之間的熱膨脹差異問題,降低產品的失效風險;有利于高可性的應用場景以及溫度突變導致的氣泡失效問題。
聲明:
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