本發明屬于微機電系統(MEMS)領域,尤其涉及一種微型高溫剪應力傳感器。該高溫剪應力傳感器,采用雙F?P腔測量隔板前后壓差的方式實現剪應力的測量,解決了采用電學信號測量無法實現高溫測量的難題,有效提升了剪應力傳感器的耐高溫性能。同時,該傳感器采用F?P腔的測量方式,器件結構封閉,有效解決了高焓流場環境下污染造成的傳感器失效問題。傳感器采用MEMS技術一體化加工完成,結構強度較高,在高速流場環境下不易發生隔板斷裂失效。本發明提出的傳感器制作工藝簡單,可采用碳化硅、藍寶石等耐高溫材料完成傳感器制作,進一步提高傳感器的耐高溫性能。
聲明:
“基于雙F?P腔的高溫剪應力傳感器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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