本發明公開一種內連線結構與晶片,該內連線結構包含:多個介電層,在至少一切割線上具有多個對準排列的工藝控制監測墊;以及導電結構,設置于最上方的工藝控制監測墊之上,該導電結構電性連接最上方的工藝控制監測墊至其上方的待測元件,該導電結構的尺寸及形狀被設計為露出最上方的工藝控制監測墊的主要部分,以利于測試探針接近。所述內連線結構與晶片在晶粒切割工藝中能夠降低失效的比率,進而達到較高的優良率。
聲明:
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