本發明提供了一種原子力納米探針樣品標記方法以及集成電路制造方法。根據本發明的原子力納米探針樣品標記方法包括:失效點查找步驟,用于采用聚焦離子束在原子力納米探針樣品內找到失效點;失效點標記步驟,用于在失效點相距不大于特定距離的范圍內用聚焦離子束進行標記;標記填充步驟,用于采用聚焦離子束在所述標記中填入填充材質;以及待測試層研磨步驟,用于采用研磨裝置對原子力納米探針樣品進行研磨,以去除待測試層之上的所有層的至少一部分。根據本發明的原子力納米探針樣品標記方法使得被標記區域的高度差能被有效控制,從而利于測試。
聲明:
“原子力納米探針樣品標記方法以及集成電路制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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