根據本發明的一個方面,一種操作半導體存儲器件的方法包括以下步驟:執行包括編程操作和編程驗證操作的編程循環,以便在選中的存儲器單元中儲存輸入數據;執行第一錯誤比特檢查操作,用于將數據的與輸入數據不同的錯誤比特的數量與可糾正的錯誤比特的數量進行比較;如果錯誤比特的數量等于或小于可糾正錯誤比特的數量,則執行第二錯誤檢查操作,所述第二錯誤檢查操作用于將錯誤比特的數量與用于替換確定的比特的參考數量進行比較;以及如果錯誤比特的數量大于用于替換確定的比特的參考數量,則通過將具有錯誤比特的存儲器單元的列地址加到失效列地址信息中來更新失效列地址信息。
聲明:
“半導體存儲器件及其操作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)