本公開涉及MRAM磁干擾診斷系統。提供了一種磁阻隨機存取存儲器(MRAM)診斷系統的實施例,其包括:在診斷模式期間將MRAM單元陣列中的所有位單元預處理為數據值一,其中所述MRAM單元陣列在半導體襯底的有源側中實施;在所述預處理之后,將具有預定場強的第一磁干擾場施加到所述MRAM單元陣列,其中所述第一磁干擾場由天線生成,所述天線在所述半導體襯底的所述有源側上方的多個導電和介電材料層中實施;在所述施加所述第一磁干擾場之后,執行第一糾錯碼(ECC)讀取操作以讀取所述MRAM單元陣列;以及響應于在所述第一ECC讀取操作期間檢測到至少一個不可糾正的讀取,設置失效狀態并退出所述診斷模式。
聲明:
“MRAM磁干擾診斷系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)