本發明公開了一種原子層沉積用于靜電保護二極管的管控及制造方法,涉及功率半導體器件生產制造技術領域。本發明包括芯片固定、等離子清洗、打線工藝、原子沉積、原子層沉積檢查、注塑成型工藝、EMC樹脂作為包封料或塑封料的后固化、激光去殘膠、后續工藝;后續工藝包括電鍍、打標、切筋、自動測試線、包裝。本發明避免了離子遷移,保護穩定性好,即使水滲進去也不會失效;解決了大功率小封裝的離子遷移問題,減小離子遷移風險,降低產品在生產過程中的管控成本,特別是目前主流使用高低溫沖擊,減少加速拉花的工序或減少了二次回流;使晶圓的厚度持續減薄,減少樹脂成本;減少對于后續的生產工序管控的難度。
聲明:
“原子層沉積用于靜電保護二極管的管控及制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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